Память нового поколения для мобильных устройств Wide IO Mobile RAM

Память нового поколения для мобильных устройств Wide IO Mobile RAM

Первые модули памяти следующего поколения, изготовленные по 30 нм технологии были разработаны компанией Elpida. Производитель утверждает, что ему удалось создать память, которая имеет вчетверо большую пропускную способность — до 12.8 Гб / с.

При таком проростки скорости, одновременно энергопотребление снижено на 50 процентов, по сравнению с модулями LPDDR2, как на ts 859u rp.

Востребованной такая память будет у абсолютного большинства всех производителей портативной электроники, но, в первую очередь, у производителей планшетов и смартфонов.

Первые партии новых 4-гигабитных модулей Wide IO Mobile RAM производители получат уже в этом декабре, однако массовое пришествие новой технологии ожидается в следующем году.

В начале 2012 года компания Elpida намерена также представить новые четырехслойные модули памяти Mobile DRAM, которые вмещать уже целых 16 Гбит.